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非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制
引用本文:李靓,姚熹,张良莹.非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制[J].半导体学报,2004,25(7):847-851.
作者姓名:李靓  姚熹  张良莹
作者单位:同济大学功能材料研究所 上海200092 (李靓,姚熹),同济大学功能材料研究所 上海200092(张良莹)
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 上海市学科建设项目
摘    要:采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 .利用溶胶凝胶方法制备了多孔 Si O2 薄膜以及过渡 Si O2 薄膜 ,通过优化制备工艺 ,使得多孔 Si O2 一次成膜厚度达到30 70 nm ,孔率达到 5 9% ;过渡 Si O2 一次成膜的厚度达到 1 88nm,孔率达到 4 % .AFM表明 ,由过渡 Si O2 薄膜与多孔Si O2 组成的复合薄膜结构的表面粗糙度远小于多孔 Si O2 薄膜的表面粗糙度 .该热绝缘结构有利于探测器后续各层功能薄膜的集成

关 键 词:热释电薄膜红外探测器    热绝缘结构    溶胶凝胶法    多孔SiO2薄膜    过渡SiO2薄膜
文章编号:0253-4177(2004)07-0847-05
修稿时间:2003年7月5日

Fabrication of Thermal Insulation Structure for Uncooled Pyroelectric Thin Film IR Detector
Li Liang,Yao Xi and Zhang Liangying.Fabrication of Thermal Insulation Structure for Uncooled Pyroelectric Thin Film IR Detector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(7):847-851.
Authors:Li Liang  Yao Xi and Zhang Liangying
Abstract:Multilayer film that consists of porous silica layer integrated with silica buffer layer is used as thermal insulating structure for uncooled pyroelectric thin film IR detector.Porous silica film and buffer silica film are prepared by sol gel method.By optimizing fabricating process,porous silica films with thickness of 3070nm and porosity of 59% and buffer silica film with thickness of 188nm and porosity of 4% are successfully achieved by spin coating.AFM experiment results show that the surface roughness of porous silica film decreases after being integrated with buffer silica film.The thermal insulating structure is suitable to integrate other functional films to fabricate the detector.
Keywords:pyroelectric thin film IR detector  thermal isolation  sol  gel  porous silica film  buffer silica film
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