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| 高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT | |
| 引用本文： | 熊绍珍,孟志国,代永平,周祯华,张建军,莫希朝,李德林,赵庚申,徐温元.高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT[J].半导体学报,1994,15(2):130-135. |
| 作者姓名： | 熊绍珍 孟志国 代永平 周祯华 张建军 莫希朝 李德林 赵庚申 徐温元 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ． |
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