| 低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布 |
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| 引用本文： | 肖清华,屠海令.低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布[J].半导体学报,2004,25(11):1437-1441. |
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| 作者姓名： | 肖清华 屠海令 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,100088,北京;北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,100088,北京 |
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| 摘 要： | 大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道
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| 关 键 词： | 硅锗合金 低温离子注入 快速热处理 卢瑟福背散射技术 二次离子质谱技术 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)11-1437-05 |
| 修稿时间： | 2003年11月13日 |
Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP |
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| Xiao Qinghua and Tu Hailing.Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(11):1437-1441. |
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| Authors: | Xiao Qinghua and Tu Hailing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe cryogenic implantation RTP RBS SIMS |
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