| 低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器 |
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| 引用本文： | 杨国文,肖建伟,徐遵图,徐俊英,张敬明,陈良惠.低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器[J].半导体学报,1993,14(7):445-449. |
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| 作者姓名： | 杨国文 肖建伟 徐遵图 徐俊英 张敬明 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京100083
(杨国文，肖建伟，徐遵图，徐俊英，张敬明)，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京100083(陈良惠) |
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| 摘 要： | 本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm~2,最低达675A/cm~2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。
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