| 一种高性能CMOS带隙电压基准源设计 |
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| 引用本文： | 朱樟明,杨银堂,刘帘曦,朱磊.一种高性能CMOS带隙电压基准源设计[J].半导体学报,2004,25(5):542-546. |
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| 作者姓名： | 朱樟明 杨银堂 刘帘曦 朱磊 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071
(朱樟明，杨银堂，刘帘曦)，西安电子科技大学微电子研究所 西安710071(朱磊) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm.
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| 关 键 词： | CMOS 带隙电压基准源 二次分压 温度补偿 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0542-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月10日 |
Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference |
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| Zhu Zhangming,Yang Yintang,Liu Lianxi and Zhu Lei.Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(5):542-546. |
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| Authors: | Zhu Zhangming Yang Yintang Liu Lianxi and Zhu Lei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS band gap voltage reference resistive subdivision temperature compensation |
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