| 闭管扩散Zn对InP表面性质的影响 |
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| 引用本文： | 吕衍秋,庄春泉,黄杨程,李萍,龚海梅,Lü Yanqiu,Zhuang Chunquan,Huang Yangcheng,Li Ping,Gong Haimei.闭管扩散Zn对InP表面性质的影响[J].半导体学报,2006,27(z1):105-108. |
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| 作者姓名： | 吕衍秋 庄春泉 黄杨程 李萍 龚海梅 Lü Yanqiu Zhuang Chunquan Huang Yangcheng Li Ping Gong Haimei |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100049,中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.
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| 关 键 词： | 闭管扩散 电化学C-V 二次离子质谱 光致发光 闭管 扩散时间 表面性质 影响 Method Tube Surfaces 载流子浓度 测试 光致发光 样品 增长 散结 结果 分布曲线 深度 空穴浓度 SIMS 二次离子质谱法 电化学 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0105-04 |
| 修稿时间： | 2005年10月28日 |
Properties of Zn-Diffused InP Surfaces with Sealed Tube Method |
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| Zhuang Chunquan,Huang Yangcheng,Li Ping,Gong Haimei.Properties of Zn-Diffused InP Surfaces with Sealed Tube Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):105-108. |
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| Authors: | Zhuang Chunquan Huang Yangcheng Li Ping Gong Haimei |
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