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SOI热光4×4光开关阵列的研制
引用本文:王章涛,樊中朝,夏金松,陈少武,余金中. SOI热光4×4光开关阵列的研制[J]. 半导体学报, 2004, 25(12): 1573-1575
作者姓名:王章涛  樊中朝  夏金松  陈少武  余金中
作者单位:中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083(王章涛,樊中朝,夏金松,陈少武),中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083(余金中)
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金
摘    要:设计和制作了由5个2×2多模干涉马赫-曾德开关元组成的重排无阻塞型SOI4×4热光开关阵列.阵列的最小和最大附加损耗分别为6.6和10.4dB,阵列的串扰为-12~-19.8dB,光开关阵列的开关速度小于30μs,单个开关元的功耗大约为330mW.

关 键 词:集成光学   马赫-曾德干涉仪   开关阵列   光开关

Design and Fabrication of Thermo-Optic 4×4 Switching Matrix in Silicon-on-Insulator
WANG Zhangtao,FAN Zhongchao,XIA Jinsong,Chen Shaowu,Yu Jinzhong. Design and Fabrication of Thermo-Optic 4×4 Switching Matrix in Silicon-on-Insulator[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(12): 1573-1575
Authors:WANG Zhangtao  FAN Zhongchao  XIA Jinsong  Chen Shaowu  Yu Jinzhong
Abstract:
Keywords:integrated optics  silicon-on-insulator  matrix switches  PLC technology
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