| Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应 |
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| 引用本文： | 胡古今,张雷,戴宁,陈良尧.Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应[J].半导体学报,2000,21(1):51-55. |
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| 作者姓名： | 胡古今 张雷 戴宁 陈良尧 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系半导体物理实验室 上海 200433 |
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| 摘 要： | 通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ｇａδ掺杂ＺｎＳｅ超晶格的稳恒光电导效应．被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为１２０Ｋ，另一块样品的淬灭温度接近２９０Ｋ．描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果，讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响．
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| 关 键 词： | 光电导 超晶格 ZnSe |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)01-0051-05 |
| 修稿时间： | 1998年10月8日 |
Persistent Photo-Conductivity in Ga δ-Doped ZnSe Superlattices |
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| HU Gu\|jin,ZHANG Lei,DAI Ning and CHEN Liang\|yao.Persistent Photo-Conductivity in Ga δ-Doped ZnSe Superlattices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(1):51-55. |
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| Authors: | HU Gu\|jin ZHANG Lei DAI Ning and CHEN Liang\|yao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photo\|Conductivity Superlattices ZnSe |
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