| UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 |
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| 引用本文： | 于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学[J].半导体学报,2000,21(6). |
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| 作者姓名： | 于卓 李代宗 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.
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| 关 键 词： | SiGe/Si UHV/CVD 生长 动力学 |
Surface Reaction Mechanism of SiGe/Si Growth by UHV/CVD |
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| YU Zhuo,LI Dai-zong,CHENG Bu-wen,HUANG Chang-jun,LEI Zhen-lin,YU Jin-zhong,WANG Qi-ming,LIANG Jun-wu.Surface Reaction Mechanism of SiGe/Si Growth by UHV/CVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(6). |
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| Authors: | YU Zhuo LI Dai-zong CHENG Bu-wen HUANG Chang-jun LEI Zhen-lin YU Jin-zhong WANG Qi-ming LIANG Jun-wu |
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