| 用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料 |
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| 引用本文： | 于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料[J].半导体学报,2000,21(9). |
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| 作者姓名： | 于卓 李代宗 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件.
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| 关 键 词： | Si1-x-yGexCy材料 固相外延 |
Preparation of Si1-x-yGexCy Alloy Layers by SPER |
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| YU Zhuo,LI Dai-zong,CHENG Bu-wen,HUANG Chang-jun,LEI Zhen-lin,YU Jin-zhong,WANG Qi-ming,LIANG Jun-wu.Preparation of Si1-x-yGexCy Alloy Layers by SPER[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(9). |
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| Authors: | YU Zhuo LI Dai-zong CHENG Bu-wen HUANG Chang-jun LEI Zhen-lin YU Jin-zhong WANG Qi-ming LIANG Jun-wu |
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