| 硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响 |
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| 引用本文： | 周星飞,施斌,蒋伟荣,胡冬枝,樊永良,龚大卫,张翔九,蒋最敏.硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响[J].半导体学报,2000,21(8). |
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| 作者姓名： | 周星飞 施斌 蒋伟荣 胡冬枝 樊永良 龚大卫 张翔九 蒋最敏 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高校骨干教师资助计划，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点自组织生长的影响.硼原子的数量由0单原子层变到0.3单原子层.原子力显微镜的观察表明,硼原子不仅对量子点的大小,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响.当硼原子的数量为0.2单原子层时,获得了底部直径为60±5nm,面密度为6×109cm-2,且均匀性很好的Ge量子点.另外,还简单讨论了硼原子对Ge量子点自组织生长影响的机制.
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| 关 键 词： | 量子点 Ge 生长 |
Influence of Boron Atom on Growth of Ge Quantum Dots on Si(100) |
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| ZHOU Xing-fei,SHI Bin,JIANG Wei-rong,HU Dong-zhi,FAN Yong-liang,GONG Da-wei,ZHANG Xiang-jiu,JIANG Zui-min.Influence of Boron Atom on Growth of Ge Quantum Dots on Si(100)[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(8). |
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| Authors: | ZHOU Xing-fei SHI Bin JIANG Wei-rong HU Dong-zhi FAN Yong-liang GONG Da-wei ZHANG Xiang-jiu JIANG Zui-min |
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