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| 应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响 | |
| 引用本文： | 葛玉如,高淑芬,王莉,汪孝杰,张盛廉,朱龙德.应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响[J].半导体学报,1982,3(2):107-112. |
| 作者姓名： | 葛玉如 高淑芬 王莉 汪孝杰 张盛廉 朱龙德 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (葛玉如，高淑芬，王莉，汪孝杰，张盛廉)，中国科学院半导体研究所(朱龙德) |
| 摘 要： | 本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaAsP/InP DH 激光器中,由于Zn在InGaAsP和InP晶体中的快扩散及外延生长期间Zn蒸气沾污是PN结偏位的主要原因.施主和受主掺杂的高浓度会产生隧道型 PN 结. 因此在研制激光器的工艺中,控制Zn的沾污及掺杂剂的浓度是非常重要的. |
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