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有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的研究
作者姓名:马瑾  郝晓涛  马洪磊  张德恒  徐现刚
作者单位:山东大学物理与微电子学院,光电材料与器件研究所,济南,250100,山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
基金项目:高等院校骨干教师基金;;
摘    要:采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2∶Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.SnO2∶Sb薄膜中Sb2O3的最佳掺杂比例为6%.适当调节制备参数,可以获得在可见光范围内平均透过率大于85%的有机衬底SnO2∶Sb透明导电薄膜,其电阻率~3.7×10-3Ω·cm,载流子浓度~1.55×1020cm-3,霍耳迁移率~13cm2·V-1·s-1.

关 键 词:有机衬底 SnO2:Sb膜 磁控溅射 透明导电膜 二氧化锡
文章编号:0253-4177(2002)06-0599-05
修稿时间:2001-09-21
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