| X波段高输出功率凹栅AIGaN／GaN HEMT |
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| 引用本文： | 冯震,张志国,王勇,默江辉,宋建博,冯志红,蔡树军,杨克武.X波段高输出功率凹栅AIGaN／GaN HEMT[J].半导体学报,2007,28(11):1773-1776. |
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| 作者姓名： | 冯震 张志国 王勇 默江辉 宋建博 冯志红 蔡树军 杨克武 |
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| 作者单位： | [1]专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [3]西安电子科技大学微电子学院,西安710071 |
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| 摘 要： | 使用自主研制的SiC衬底GaNHEMT外延材料，研制出高输出功率A1GaN／GaNHEMT，优化了器件研制工艺，比接触电阻率小于1．0×10^-6Ω·cm^2，电流崩塌参量小于10％，击穿电压大于80V．小栅宽器件工作电压达到40V，频率为8GHz时输出功率密度大于10W／mm．栅宽为2mm单胞器件，工作电压为28V，频率为8GHz时，输出功率为12．3W，功率增益为4．9dB，功率附加效率为35％．四胞内匹配总栅宽为8mm器件，工作电压为27V时，频率为8GHz时，输出功率为33．8W，功率增益为6．3dB，功率附加效率为41．77％，单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果．
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| 关 键 词： | A1GaN／GaN HEMT 高输出功率 内匹配器件 |
| 修稿时间： | 2007-05-10 |
A Recessed AIGaN/GaN HEMT with High Output Power in the X Band |
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| Feng Zhen, Zhang Zhiguol, Wang Yong, Mo Jianghui, Song Jianbo, Feng Zhihong, Cai Shujun , and Yang Kewu.A Recessed AIGaN/GaN HEMT with High Output Power in the X Band[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(11):1773-1776. |
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| Authors: | Feng Zhen Zhang Zhiguol Wang Yong Mo Jianghui Song Jianbo Feng Zhihong Cai Shujun and Yang Kewu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AIGaN/GaN HEMT high output power density internally matched device |
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