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多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT
引用本文:刘志农,熊小义,黄文韬,李高庆,张伟,许军,刘志弘,林惠旺,许平,陈培毅,钱佩信. 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT[J]. 半导体学报, 2003, 24(9): 897-902
作者姓名:刘志农  熊小义  黄文韬  李高庆  张伟  许军  刘志弘  林惠旺  许平  陈培毅  钱佩信
作者单位:清华大学微电子学研究所,北京100084
基金项目:国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 )~~
摘    要:研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件,其性能为:β=60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在90 0MHz和3 5V/ 0 2A偏置时在1dB压缩

关 键 词:锗硅   异质结双极晶体管   微波功率放大器

Polysilicon Emitter Double Mesa Microwave Power SiGe HBT
LIU Zhinong,Xiong Xiaoyi,HUANG Wentao,Li Gaoqing,Zhang Wei,Xu Jun,Liu Zhihong,Lin Huiwang,Xu Ping,CHEN Peiyi,TSIEN Pei-Hsin. Polysilicon Emitter Double Mesa Microwave Power SiGe HBT[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(9): 897-902
Authors:LIU Zhinong  Xiong Xiaoyi  HUANG Wentao  Li Gaoqing  Zhang Wei  Xu Jun  Liu Zhihong  Lin Huiwang  Xu Ping  CHEN Peiyi  TSIEN Pei-Hsin
Abstract:
Keywords:SiGe  HBT  microwave power amplifer
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