| 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT |
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| 引用本文： | 刘志农,熊小义,黄文韬,李高庆,张伟,许军,刘志弘,林惠旺,许平,陈培毅,钱佩信.多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT[J].半导体学报,2003,24(9):897-902. |
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| 作者姓名： | 刘志农 熊小义 黄文韬 李高庆 张伟 许军 刘志弘 林惠旺 许平 陈培毅 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 )~~ |
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| 摘 要： | 研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件,其性能为:β=60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在90 0MHz和3 5V/ 0 2A偏置时在1dB压缩
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| 关 键 词： | 锗硅 异质结双极晶体管 微波功率放大器 |
Polysilicon Emitter Double Mesa Microwave Power SiGe HBT |
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| LIU Zhinong,Xiong Xiaoyi,HUANG Wentao,Li Gaoqing,Zhang Wei,Xu Jun,Liu Zhihong,Lin Huiwang,Xu Ping,CHEN Peiyi,TSIEN Pei-Hsin.Polysilicon Emitter Double Mesa Microwave Power SiGe HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(9):897-902. |
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| Authors: | LIU Zhinong Xiong Xiaoyi HUANG Wentao Li Gaoqing Zhang Wei Xu Jun Liu Zhihong Lin Huiwang Xu Ping CHEN Peiyi TSIEN Pei-Hsin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe HBT microwave power amplifer |
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