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| Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系 | |
| 引用本文： | 潘姬,齐建华,赵鸿麟,汪一沙,王春亮.Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系[J].半导体学报,1985,6(3):320-322. |
| 作者姓名： | 潘姬 齐建华 赵鸿麟 汪一沙 王春亮 |
| 摘 要： | 本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结果表明,Ar~+的优化吸杂剂量在 7.5 ×10~(14)cm~(-2)及 7.5 ×10~(15)cm~(-2)左右.文中最后论及吸杂效果和剩余缺陷密度的关系. |
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