| 纳米电子器件及其集成 |
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| 引用本文： | 刘明,陈宝钦,谢常青,王丛舜,龙世兵,徐秋霞,李志钢,易里成荣,涂德钰,商立伟.纳米电子器件及其集成[J].半导体学报,2006,27(z1):7-10. |
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| 作者姓名： | 刘明 陈宝钦 谢常青 王丛舜 龙世兵 徐秋霞 李志钢 易里成荣 涂德钰 商立伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成实验室,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60276019;90207004;60236010;60290081; |
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| 摘 要： | 对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.
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| 关 键 词： | 自上而下的纳米加工 纳米器件 单电子器件 共振器件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0011-04 |
| 修稿时间： | 2005年10月11日 |
Nano Electrical Devices and Integration |
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| Liu Ming,Chen Baoqin,Xie Changqing,Wang Congshun,Long Shibing,Xu Qiuxia,Li Zhigang,Yili Chengrong,Tu Deyu,Shang Liwei.Nano Electrical Devices and Integration[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):7-10. |
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| Authors: | Liu Ming Chen Baoqin Xie Changqing Wang Congshun Long Shibing Xu Qiuxia Li Zhigang Yili Chengrong Tu Deyu Shang Liwei |
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