| 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 |
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| 引用本文： | 罗卫军,陈晓娟,李成瞻,刘新宇,和致经,魏珂,梁晓新,王晓亮.高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制[J].半导体学报,2006,27(11):1981-1983. |
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| 作者姓名： | 罗卫军 陈晓娟 李成瞻 刘新宇 和致经 魏珂 梁晓新 王晓亮 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 微波功率 功率增益 高性能 AlGaN 输出功率 HEMT Fabrication 微波应用 显示 阻抗特性 端口 条件测试 脉冲 功率增益 连续波测试 最大振荡频率 特征频率 击穿电压 跨导 电流密度 栅长 器件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)11-1981-03 |
| 收稿时间： | 04 20 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 05 18 2006 12:00AM |
Fabrication of a High-Performance 1mm AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate |
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| Luo Weijun,Chen Xiaojuan,Li Chengzhan,Liu Xinyu,He Zhijing,Wei Ke,Liang Xiaoxin and Wang Xiaoliang.Fabrication of a High-Performance 1mm AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11):1981-1983. |
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| Authors: | Luo Weijun Chen Xiaojuan Li Chengzhan Liu Xinyu He Zhijing Wei Ke Liang Xiaoxin and Wang Xiaoliang |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT microwave power power gain |
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