| 基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟 |
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| 引用本文： | 王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉.基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟[J].半导体学报,2006,27(4):735-740. |
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| 作者姓名： | 王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 摘 要： | 研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(soft breakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式--类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～ 3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流-电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.
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| 关 键 词： | 软击穿 超薄栅氧化层 类渗流导电 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)04-0735-06 |
| 收稿时间： | 09 3 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 11 11 2005 12:00AM |
Current Simulation Based on the Percolation-Like Conductionin Ultra-Thin Gate Oxides After Soft Breakdown |
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| Wang Yangang,Xu Mingzhen,Tan Changhua and Duan Xiaorong.Current Simulation Based on the Percolation-Like Conductionin Ultra-Thin Gate Oxides After Soft Breakdown[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(4):735-740. |
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| Authors: | Wang Yangang Xu Mingzhen Tan Changhua and Duan Xiaorong |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | soft breakdown ultra-thin gate oxide percolation-like conduction |
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