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GSMBE生长1.84um波长InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器
引用本文:柏劲松,李爱珍,等.GSMBE生长1.84um波长InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器[J].半导体学报,2001,22(2):126-129.
作者姓名:柏劲松  李爱珍
作者单位:[1]中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室信息电子技术研究室,上海201800 [2]中国科学院上海冶金研究
基金项目:中国科学院九五基础研究资助项目(KJ951-81-706-06).
摘    要:报道了GSMBE方法生长波长1.84um的InGaAs/InGaAsP/InP应变激光器,40um条宽、800um腔长的平面电极条形结构器件,室温下以脉冲方式激射,20℃下阈值电流密度为3.8kA/cm^2,外微分量子效率为9.3%。

关 键 词:GSMBE生长  中红外波段  应变量子阱激光器  InGAAs/InGAAsP
文章编号:0253-4177(2001)02-0126-04
修稿时间:2000年7月22日

GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained
BAI Jin-song.GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(2):126-129.
Authors:BAI Jin-song
Abstract:
Keywords:
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