首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱
引用本文:戴宁,冯金福,张雷,陈良尧,陆卫,刘兴权,仲嘉林.GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱[J].半导体学报,1998,19(7):552-556.
作者姓名:戴宁  冯金福  张雷  陈良尧  陆卫  刘兴权  仲嘉林
作者单位:[1]复旦大学李政道物理学综合实验室 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
摘    要:本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法,以及用这种方法研究GaAlAs薄膜和GaAs体材料的结果.热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构,这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起.研究表明这种微分光谱具有简单易行,不破坏样品等特点,并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度.

关 键 词:半导体  砷化镓  热微分反射光谱  镓铝砷
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号