| Si1—x—yGexCy三元系材料的应变补偿特性 |
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| 引用本文： | 于卓,李代宗,等.Si1—x—yGexCy三元系材料的应变补偿特性[J].半导体学报,2001,22(1):52-56. |
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| 作者姓名： | 于卓 李代宗 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室，北京100083 |
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| 摘 要： | 研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性，分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响，指出由于Ge和C的投影射程及标准偏差不同，二在各处的组分比并不恒定，存在着纵向分布，因此各处的应变补偿情况也不尽相同。利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析，得出了外延层中存在应变完全补偿区域时Ge、C的峰值浓度比NGe/Nc应满足一定的取值范围。通过制备不同C组分的样品对上述结论进行了验证，得出的结果与理论预言基本相符。
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| 关 键 词： | 应变补偿 半导体材料 SIGEC 三元化合物 |
Strain Compensation Effects of Si1-x-y Gex Cy Alloys |
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| YU Zhuo,LI Dai- zong,CHENG Bu- wen,HUANG Chang- jun,LEI Zhen- lin,YU Jin- zhong,WANG Qi- ming and LIANG Jun- wu.Strain Compensation Effects of Si1-x-y Gex Cy Alloys[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(1):52-56. |
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| Authors: | YU Zhuo LI Dai- zong CHENG Bu- wen HUANG Chang- jun LEI Zhen- lin YU Jin- zhong WANG Qi- ming and LIANG Jun- wu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si1 - x- y Gex Cy alloys SPER strain- compensatio |
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