| 88 nm栅长fmax＝201 GHz InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMT器件 |
| |
| 引用本文： | 钟英辉,王显泰,苏永波,曹玉雄,金智,张玉明,刘新宇. 88 nm栅长fmax＝201 GHz InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMT器件[J]. 半导体学报, 2012, 33(7): 074004-4 |
| |
| 作者姓名： | 钟英辉 王显泰 苏永波 曹玉雄 金智 张玉明 刘新宇 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,西安电子科技大学微电子学院,中国科学院微电子研究所 |
| |
| 摘 要： | 我们成功研制了栅长88 nm, 栅宽2 50 μm, 源漏间距为2.4 μm 的InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率器件(HEMT)。栅是使用PMMA/Al/UVⅢ,通过优化电子束曝光时间及其显影时间的方式制作的。这些器件有比较好的直流及其射频特性：峰值跨导、最大源漏饱和电流密度、开启电压、ft和fmax 分别为765 mS/mm, 591 mA/mm, -0.5 V, 150 GHz 和201 GHz。这些器件将非常适合于毫米波段集成电路。
|
| 关 键 词： | 高电子迁移率器件 栅长 栅槽 InP InAlAs/InGaAs |
| 收稿时间： | 2012-01-09 |
| 修稿时间： | 2012-03-01 |
An 88 nm gate-length In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As InP-based HEMT with fmax of 201 GHz |
| |
| Zhong Yinghui,Wang Xiantai,Su Yongbo,Cao Yuxiong,Jin Zhi,Zhang Yuming and Liu Xinyu. An 88 nm gate-length In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As InP-based HEMT with fmax of 201 GHz[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2012, 33(7): 074004-4 |
| |
| Authors: | Zhong Yinghui Wang Xiantai Su Yongbo Cao Yuxiong Jin Zhi Zhang Yuming Liu Xinyu |
| |
| Affiliation: | Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | HEMT gate-length gate recess InP InAlAs/InGaAs |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
