| Al_2O_3高k栅介质的可靠性 |
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| 引用本文： | 杨红,康晋锋,韩德栋,任驰,夏志良,刘晓彦,韩汝琦.Al_2O_3高k栅介质的可靠性[J].半导体学报,2003,24(9):1005-1008. |
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| 作者姓名： | 杨红 康晋锋 韩德栋 任驰 夏志良 刘晓彦 韩汝琦 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所 北京100871
(杨红，康晋锋，韩德栋，任驰，夏志良，刘晓彦)，北京大学微电子所 北京100871(韩汝琦) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费资助项目 (No .G2 0 0 0 0 356 )~~ |
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| 摘 要： | 利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验中,Al2 O3栅介质表现出类似于SiO2 的软击穿现象.不同栅压应力作用的测试结果表明,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素,其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C/cm2 .
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| 关 键 词： | 高k栅介质 可靠性 时变击穿 |
Reliability of Al_2O_3 High k Dielectr ic |
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| Yang Hong,Kang Jinfeng,Han Dedong,Ren Chi,Xia Zhiliang,Liu Xiaoyan and Han Ruqi.Reliability of Al_2O_3 High k Dielectr ic[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(9):1005-1008. |
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| Authors: | Yang Hong Kang Jinfeng Han Dedong Ren Chi Xia Zhiliang Liu Xiaoyan and Han Ruqi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high k gate dielectric reliability time-dependent dielectric breakdown |
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