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| SiC肖特基势垒二极管的研制 | |
| 作者姓名： | 张玉明 张义门 罗晋生 |
| 作者单位： | [1]西安电子科学大学微电子所 [2]西安交通大学微电子工程系 |
| 摘 要： | 本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ型６Ｈ-ＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析，Ｉ-Ｖ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为１.２３，肖特基势垒高度为１.０３ｅＶ，开启电压约为０.５Ｖ． |
| 关 键 词： | 肖特基势垒 二极管 碳化硅 研制 |
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