| 温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用 |
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| 引用本文： | 王忆,何乐年,严晓浪. 温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用[J]. 半导体学报, 2006, 27(9): 1657-1662 |
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| 作者姓名： | 王忆 何乐年 严晓浪 |
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| 作者单位： | 浙江大学超大规模集成电路研究所,杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路研究所,杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路研究所,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40～130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40～130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计.
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| 关 键 词： | 30nA 静态电流 寄生二极管 LDO |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)09-1657-06 |
| 收稿时间： | 2006-02-14 |
| 修稿时间： | 2006-02-14 |
A 30nA Temperature-Independent CMOS Current Reference and Its Application in an LDO |
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| Wang Yi,He Le''''nian,Yan Xiaolang. A 30nA Temperature-Independent CMOS Current Reference and Its Application in an LDO[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(9): 1657-1662 |
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| Authors: | Wang Yi He Le''''nian Yan Xiaolang |
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| Affiliation: | Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 30nA quiescent current parasitic diode LDO |
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