| RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 |
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| 引用本文： | 孙殿照,胡国新,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料[J].半导体学报,2001,22(11):1425-1428. |
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| 作者姓名： | 孙殿照 胡国新 王晓亮 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所材料中心，中国科学院半导体所材料中心，中国科学院半导体所材料中心，中国科学院半导体所材料中心，中国科学院半导体所材料中心，中国科学院半导体所材料中心，中国科学院半导体所材料中心，中国科学院半导体所材料中心 北京100083，北京100083，北京100083 |
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| 摘 要： | 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;Ga N (0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6′;Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730 cm2 /(V· s) ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 1 2 cm- 2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0 m S/mm (栅长 1μm) ,截止频率达 13GHz(栅长 0 .5 μm)
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| 关 键 词： | RF-MBE 二维电子气 HFET AlGaN/GaN |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)11-1425-04 |
| 修稿时间： | 2000年12月13日 |
AIGaN/GaN Polarization-Induced Two-Dimensional Electron Gas Materials Grown by Radio-Frequency Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy |
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| SUN Dian zhao,HU Guo xin,WANG Xiao liang,LIU Hong xin,LIU Cheng hai,ZENG Yi ping,LI Jin min and LIN Lan ying.AIGaN/GaN Polarization-Induced Two-Dimensional Electron Gas Materials Grown by Radio-Frequency Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(11):1425-1428. |
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| Authors: | SUN Dian zhao HU Guo xin WANG Xiao liang LIU Hong xin LIU Cheng hai ZENG Yi ping LI Jin min and LIN Lan ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF-MBE 2DEG HFET AlGaN/GaN |
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