| 离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质 |
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| 引用本文： | 胡良均,陈涌海,叶小玲,王占国.离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质[J].半导体学报,2007,28(Z1):84-87. |
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| 作者姓名： | 胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国 |
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| 作者单位： | 胡良均（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083）;陈涌海（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083）;叶小玲（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083）;王占国（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号;90201007,60390074) |
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| 摘 要： | 用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量子点周围减小量子点所受的应力,同时形成的团簇阻碍了界面上原子的互扩散作用有关.Mn在盖层中形成了GaMnAs和小的Mn颗粒,表现出较好的低温铁磁性.
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| 关 键 词： | InAs/GaAs量子点 光致发光 团簇 铁磁性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0084-04 |
| 修稿时间： | 2006年12月4日 |
Magnetic and Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots Doped by High Energy Mn Implantation |
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