| MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 徐遵图,杨国文,徐俊英,张敬明,沈光地,高国,廉鹏,陈良惠.MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J].半导体学报,1999,20(3):194-199. |
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| 作者姓名： | 徐遵图 杨国文 徐俊英 张敬明 沈光地 高国 廉鹏 陈良惠 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系!北京市光电子技术实验室北京100022，中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心!北京100083，中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心!北京100083，中国科学院半导体研究 |
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| 摘 要： | 本文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径,并优化了器件结构,可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角.利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°
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