| 一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型 |
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| 引用本文： | 邵雪,余志平.一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型[J].半导体学报,2005,26(6). |
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| 作者姓名： | 邵雪 余志平 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.
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| 关 键 词： | 非平衡态格林函数 量子力学效应 超薄沟道 三维 数值模拟 FinFET |
A Qusi-3D Model for a FinFET Device Based on the NEGF Method |
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| Shao Xue,Yu Zhiping.A Qusi-3D Model for a FinFET Device Based on the NEGF Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6). |
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| Authors: | Shao Xue Yu Zhiping |
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