| Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律 |
| |
| 引用本文： | 董立闽,郭霞,渠红伟,杜金玉,邹德恕,廉鹏,邓军,徐遵图,沈光地.Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律[J].半导体学报,2005,26(1). |
| |
| 作者姓名： | 董立闽 郭霞 渠红伟 杜金玉 邹德恕 廉鹏 邓军 徐遵图 沈光地 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划)，北京市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性.
|
| 关 键 词： | VCSEL AlGaAs 湿法氧化 |
Study on Al0.98Ga0.02As Wet Oxidation |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
