| 锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件 |
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| 引用本文： | 张海英,刘训春,尹军舰,陈立强,王润梅,牛洁斌,刘明.锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件[J].半导体学报,2005,26(6). |
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| 作者姓名： | 张海英 刘训春 尹军舰 陈立强 王润梅 牛洁斌 刘明 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形形貌,提高器件制做的成品率.获得了具有良好直流和微波特性的晶体管,其跨导达到1050mS/mm,阈值电压为-1.0V,截止频率达到120GHz.
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| 关 键 词： | InP HEMT 微波单片集成电路 |
A High Performance InP HEMT with Saw-Toothed Source and Drain |
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| Zhang Haiying,Liu Xunchun,Yin Junjian,Chen Liqiang,Wang Runmei,Niu Jiebin,Liu Ming.A High Performance InP HEMT with Saw-Toothed Source and Drain[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6). |
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| Authors: | Zhang Haiying Liu Xunchun Yin Junjian Chen Liqiang Wang Runmei Niu Jiebin Liu Ming |
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| Abstract: | Millimeter-wave transistor technology is very important for MMIC design and fabrication. An InP HEMT with saw-toothed source and drain is described. The pattern distortion due to the proximity effect of lithography is avoided. High yield InP HEMT with good DC and RF performances is obtained. The device transconductance is 1050mS/mm,threshold voltage is -1.0V,and current gain cut off frequency is 120GHz. |
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| Keywords: | InP HEMT MMIC |
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