| TiO2薄膜制备及其氧敏特性 |
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| 引用本文： | 戴振清,孙以材,潘国峰,孟凡斌,李国玉.TiO2薄膜制备及其氧敏特性[J].半导体学报,2005,26(2). |
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| 作者姓名： | 戴振清 孙以材 潘国峰 孟凡斌 李国玉 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北科技师范学院数理系,秦皇岛,066600;河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 TiO2薄膜 氧敏特性 激活能 |
Preparation of TiO2 Thin Films and Their Oxygen-Sensing Properties |
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| Dai Zhenqing,SUN Yicai,Pan Guofeng,Meng Fanbin,Li Guoyu.Preparation of TiO2 Thin Films and Their Oxygen-Sensing Properties[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2). |
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| Authors: | Dai Zhenqing SUN Yicai Pan Guofeng Meng Fanbin Li Guoyu |
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