| fmax为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 |
| |
| 引用本文： | 李献杰,曾庆明,周州,刘玉贵,乔树允,蔡道民,赵永林,蔡树军.fmax为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管[J].半导体学报,2005,26(11). |
| |
| 作者姓名： | 李献杰 曾庆明 周州 刘玉贵 乔树允 蔡道民 赵永林 蔡树军 |
| |
| 作者单位： | 河北半导体研究所,石家庄,050051;河北半导体研究所,石家庄,050051;河北半导体研究所,石家庄,050051;河北半导体研究所,石家庄,050051;河北半导体研究所,石家庄,050051;河北半导体研究所,石家庄,050051;河北半导体研究所,石家庄,050051;河北半导体研究所,石家庄,050051 |
| |
| 基金项目： | 科技部科研项目，中国科学院资助项目 |
| |
| 摘 要： | 制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0.3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0.85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振荡频率分别为45和100GHz;4GHz频率下输出功率密度和增益分别为1.8W/mm和9.5dB,8GHz频率下输出功率密度和增益分别为1.12W/mm和11.5dB.
|
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 蓝宝石 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphires with fmax of 100GHz |
| |
| Li Xianjie,Zeng Qingming,Zhou Zhou,Liu Yugui,Qiao Shuyun,Cai Daomin,Zhao Yonglin,Cai Shujun.AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphires with fmax of 100GHz[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11). |
| |
| Authors: | Li Xianjie Zeng Qingming Zhou Zhou Liu Yugui Qiao Shuyun Cai Daomin Zhao Yonglin Cai Shujun |
| |
| Abstract: | AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on sapphire substrates with a 0. 3μm gate length and 100μm gate width are fabricated. The device reveals a drain current saturation density of 0. 85A/mm at a gate voltage of 0V and a peak transconductance of 225mS/mm. The unity current gain cutoff frequency and maximum frequency of oscillation are obtained as 45 and 100GHz, respectively. The output power density and gain are 1. 8W/mm and 9.5dB at 4GHz,and 1.12W/mm and 11.5dB at 8GHz. |
| |
| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT sapphire |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
