| GaAs-AlxGa1-xAs双势垒结构中电子共振隧穿寿命 |
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| 引用本文： | 宫箭,梁希侠,班士良.GaAs-AlxGa1-xAs双势垒结构中电子共振隧穿寿命[J].半导体学报,2005,26(10). |
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| 作者姓名： | 宫箭 梁希侠 班士良 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学理工学院物理系,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，内蒙古大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrodinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱宽和垒厚的增加而迅速增大.
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| 关 键 词： | 双势垒 共振隧穿 寿命 |
Electron Tunneling Lifetime Through a GaAs-AlxGa1-xAs Double Barriers Heterostructure |
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| Gong Jian,Liang Xixia,Ban Shiliang.Electron Tunneling Lifetime Through a GaAs-AlxGa1-xAs Double Barriers Heterostructure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(10). |
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| Authors: | Gong Jian Liang Xixia Ban Shiliang |
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