| 掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响 |
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| 引用本文： | 李述体,范广涵,周天明,郑树文,王浩,郭志友,孙慧卿.掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响[J].半导体学报,2005,26(6). |
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| 作者姓名： | 李述体 范广涵 周天明 郑树文 王浩 郭志友 孙慧卿 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.
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| 关 键 词： | 多量子阱 AlGaInP MOCVD Si掺杂 光致发光 |
Influence of Si-Doping on Luminescence Properties of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells |
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| LI Shuti,Fan Guanghan,ZHOU Tianming,Zheng Shuwen,Wang Hao,Guo Zhiyou,Sun Huiqing.Influence of Si-Doping on Luminescence Properties of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6). |
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| Authors: | LI Shuti Fan Guanghan ZHOU Tianming Zheng Shuwen Wang Hao Guo Zhiyou Sun Huiqing |
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