| 850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性 |
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| 引用本文： | 张永明,钟景昌,赵英杰,郝永芹,李林,王玉霞,苏伟.850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性[J].半导体学报,2005,26(5). |
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| 作者姓名： | 张永明 钟景昌 赵英杰 郝永芹 李林 王玉霞 苏伟 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 兵器工业总公司资助项目 |
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| 摘 要： | 采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究.实验证实该器件在80℃仍能正常工作,在20～80℃的温度区间内,器件的斜率效率由0.3mW/mA降到0.2mW/mA.根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K,器件的基模红移为0.11nm/mW,实验确定其热阻为2.02℃/mW.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 氧化物限制 温度特性 |
Temperature Characteristics of 850nm Oxide Confined VCSELs |
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| Zhang Yongming,Zhong Jingchang,Zhao Yingjie,Hao Yongqin,Li Lin,Wang yuxia,Su Wei.Temperature Characteristics of 850nm Oxide Confined VCSELs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5). |
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| Authors: | Zhang Yongming Zhong Jingchang Zhao Yingjie Hao Yongqin Li Lin Wang yuxia Su Wei |
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