| Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响 |
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| 引用本文： | 肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,李晋闽,吴荣汉.Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.
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| 关 键 词： | InN RF-MBE XRD |
Effect of Ⅴ/Ⅲ Flux Ratio and Growth Temperature on Indium Droplet Formation During RF-MBE Growth of InN |
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| Xiao Hongling,Wang Xiaoliang,Han Qin,Wang Junxi,Zhang Nanhong,Xu Yingqiang,Liu Hongxin,Zeng Yiping,Li Jinmin,Wu Ronghan.Effect of Ⅴ/Ⅲ Flux Ratio and Growth Temperature on Indium Droplet Formation During RF-MBE Growth of InN[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Xiao Hongling Wang Xiaoliang Han Qin Wang Junxi Zhang Nanhong Xu Yingqiang Liu Hongxin Zeng Yiping Li Jinmin Wu Ronghan |
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