| 深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法 |
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| 引用本文： | 李康,郝跃,刘红侠,方建平,薛鸿民.深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法[J].半导体学报,2005,26(11). |
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| 作者姓名： | 李康 郝跃 刘红侠 方建平 薛鸿民 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
2. 陕西教育学院计算机系,西安,710061 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.
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| 关 键 词： | HCI 时变栅电流模型 BSIM3v3 可靠性仿真 |
Modeling and Simulation of Hot-Carrier Degradation in Deep-Submicron pMOSFET's |
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| Li Kang,Hao Yue,Liu Hongxia,Fang Jianping,Xue Hongmin.Modeling and Simulation of Hot-Carrier Degradation in Deep-Submicron pMOSFET's[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11). |
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| Authors: | Li Kang Hao Yue Liu Hongxia Fang Jianping Xue Hongmin |
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