| GaN外延材料中持续光电导的光淬灭 |
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| 引用本文： | 李娜,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明,杨辉.GaN外延材料中持续光电导的光淬灭[J].半导体学报,2005,26(2). |
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| 作者姓名： | 李娜 赵德刚 刘宗顺 朱建军 张书明 杨辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.
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| 关 键 词： | GaN 持续光电导 光淬灭 |
Optical Quenching of Persistent Photoconductivity in GaN Epilayer |
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| Li Na,Zhao Degang,LIU Zongshun,Zhu Jianjun,Zhang Shuming,Yang Hui.Optical Quenching of Persistent Photoconductivity in GaN Epilayer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2). |
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| Authors: | Li Na Zhao Degang LIU Zongshun Zhu Jianjun Zhang Shuming Yang Hui |
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