| UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用 |
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| 引用本文： | 孙伟峰,叶志镇,朱丽萍,赵炳辉.UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用[J].半导体学报,2005,26(11). |
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| 作者姓名： | 孙伟峰 叶志镇 朱丽萍 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 科技部攀登计划，浙江省资助项目 |
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| 摘 要： | 为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长,跃迁几率有所增加,这将大幅度提高热光电池的吸收效率,同时也为SiGe多量子阱中量子效应的存在提供了实验依据.
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| 关 键 词： | 多量子阱 窄带隙 热光电池 UHV-CVD 黑体辐射 |
Application of a SiGe Multi-Quantum Well Grown by UHV-CVD for Thermophotovoltaic Cells |
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| Sun Weifeng,Ye Zhizhen,Zhu Liping,Zhao Binghui.Application of a SiGe Multi-Quantum Well Grown by UHV-CVD for Thermophotovoltaic Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11). |
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| Authors: | Sun Weifeng Ye Zhizhen Zhu Liping Zhao Binghui |
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