| 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器 |
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| 引用本文： | 王书荣,王圩,刘志宏,朱洪亮,张瑞英,丁颖,赵玲娟,周帆,田慧良.宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J].半导体学报,2005,26(3). |
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| 作者姓名： | 王书荣 王圩 刘志宏 朱洪亮 张瑞英 丁颖 赵玲娟 周帆 田慧良 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,光电子研发中心,北京,100083;南师范大学太阳能研究所,昆明,650092
2. 中国科学院半导体研究所,光电子研发中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
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| 关 键 词： | 压应变InGaAs量子阱 张应变InGaAs准体材料 半导体光放大器 偏振灵敏度 增益 饱和输出功率 |
Broad-Width Polarization-Insensitive InGaAs Semiconductor Optical Amplifier |
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| Wang Shurong,Wang Wei,Liu Zhihong,Zhu Hongliang,Zhang Ruiying,Ding Ying,Zhao Lingjuan,Zhou Fan,Tian Huiliang.Broad-Width Polarization-Insensitive InGaAs Semiconductor Optical Amplifier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3). |
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| Authors: | Wang Shurong Wang Wei Liu Zhihong Zhu Hongliang Zhang Ruiying Ding Ying Zhao Lingjuan Zhou Fan Tian Huiliang |
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