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TiN/n-GaAs肖特基势垒特性
引用本文:张利春,高玉芝. TiN/n-GaAs肖特基势垒特性[J]. 半导体学报, 1989, 10(4): 241-248
作者姓名:张利春  高玉芝
作者单位:北京大学微电子学研究所(张利春),北京大学微电子学研究所(高玉芝)
摘    要:本文用俄歇能谱(AES)、电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)电学测量等方法,研究了反应溅射制备的TiN/n-GaAs肖特基势垒特性.经800℃高温热退火后,TiN/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.80cV,理想因子n为1.07.同时还观察到许多有意义的结果:即随着退火温度的升高(从500℃到800℃),TiN/n-GaAs肖特基二极管的势垒高度增大,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大.我们认为这可能与溅射过程中GaAs衬底中掺氮有关,并用Shannon模型(即金属/P-GaAs/n-GaAs结构)解释了以上结果.研究结果表明,在自对准GaAs MESFET工艺中,TiN是一种很有希望的栅材料.

关 键 词:氮化钛 砷化镓 肖特基势垒 MESFET

Characteristics of TiN/n GaAs Schottky Barriers
Zhang Lichun/Institute of Microelectronics,Peking University,BeijingGao Yuzhi/Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing. Characteristics of TiN/n GaAs Schottky Barriers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1989, 10(4): 241-248
Authors:Zhang Lichun/Institute of Microelectronics  Peking University  BeijingGao Yuzhi/Institute of Microelectronics  Peking University  Beijing
Abstract:
Keywords:TiN  GaAs  Schottky barrier  
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