| RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析 |
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| 引用本文： | 刘军,孙玲玲,徐晓俊.RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析[J].半导体学报,2007,28(2):246-253. |
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| 作者姓名： | 刘军 孙玲玲 徐晓俊 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018;杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018;杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018 |
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| 基金项目： | 国防重点实验室基金
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浙江省国际科技合作计划 |
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| 摘 要： | 提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.
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| 关 键 词： | RF-CMOS 在片测试结构 寄生效应 建模 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0246-08 |
| 修稿时间： | 06 28 2006 12:00AM |
RF-CMOS Modeling:Parasitic Analysis for MOST On-Wafer Test Structure |
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| Liu Jun,Sun Lingling and Xu Xiaojun.RF-CMOS Modeling:Parasitic Analysis for MOST On-Wafer Test Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2):246-253. |
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| Authors: | Liu Jun Sun Lingling and Xu Xiaojun |
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| Affiliation: | Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF-CMOS test structure parasitic effect modeling |
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