| 离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成 |
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| 引用本文： | 杨熙宏,毛思宁,陈坚,刘家瑞,杨锋,许天冰.离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成[J].半导体学报,1989,10(11):846-852. |
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| 作者姓名： | 杨熙宏 毛思宁 陈坚 刘家瑞 杨锋 许天冰 |
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| 作者单位： | 北京大学重离子所，清华大学物理系，北京大学技术物理系，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 北京，北京，北京 |
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| 摘 要： | 本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.
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| 关 键 词： | 离子束混合 稀土金属 硅化物 Se |
Ion-Induced Interface Reaction between Si and Rare-Earth-Metal Ce and the Formation of Silicide |
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| Yang Xihong/.Ion-Induced Interface Reaction between Si and Rare-Earth-Metal Ce and the Formation of Silicide[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(11):846-852. |
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| Authors: | Yang Xihong/ |
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| Affiliation: | Yang Xihong/Department of Technical Physics,Peking UnivcrsityMao Sining/Department of Technical Physics,Peking UnivcrsityChen Jian/Department of Technical Physics,Peking UnivcrsityLiu Jiarui/Institute of Physics,Academic Sinica,BeijingYang Feng/Institute of Physics,Academic Sinica,BeijingXu Tianbing/Institute of Physics,Academic Sinica,Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion beam mixing Amount of Mixing Rare earth metal silicide Chemical driving force Radiation enhanced Diffusion Cascade mixing |
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