| GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性 |
| |
| 引用本文： | 吕小红,赵有文,孙文荣,董志远.GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性[J].半导体学报,2007,28(Z1):163-166. |
| |
| 作者姓名： | 吕小红 赵有文 孙文荣 董志远 |
| |
| 作者单位： | 吕小红（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;赵有文（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;孙文荣（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;董志远（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
| |
| 摘 要： | 通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.
|
| 关 键 词： | CaSb InAs 单晶 晶格缺陷 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0163-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月30 |
Lattice Perfection of GaSb and InAs Single Crystal Substrate |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
