| 脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 |
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| 引用本文： | 王玉霞,曹颖,何海平,汤洪高,王连卫,黄继颇,林成鲁.脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光[J].半导体学报,2001,22(10):1277-1283. |
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| 作者姓名： | 王玉霞 曹颖 何海平 汤洪高 王连卫 黄继颇 林成鲁 |
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| 作者单位： | [1]中国科技大学材料科学与工程系，合肥230026 [2]中国科学院上海冶金研究所，上海200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;59772016; |
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| 摘 要： | 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度
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| 关 键 词： | 激光淀积 SiC薄膜 晶化 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)10-1277-07 |
| 修稿时间： | 2000年12月14日 |
Optimal Temperature of Crystallization and Photoluminescence of SiC/Si(100) Film Prepared by Pulsed ArF Excimer Laser Deposition |
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| WANG Yu xia ,CAO Ying ,HE Hai ping ,TANG Hong gao ,WANG Lian wei ,HUANG Ji po and LIN Cheng lu.Optimal Temperature of Crystallization and Photoluminescence of SiC/Si(100) Film Prepared by Pulsed ArF Excimer Laser Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(10):1277-1283. |
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| Authors: | WANG Yu xia CAO Ying HE Hai ping TANG Hong gao WANG Lian wei HUANG Ji po and LIN Cheng lu |
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| Affiliation: | WANG Yu xia 1,CAO Ying 1,HE Hai ping 1,TANG Hong gao 1,WANG Lian wei 2,HUANG Ji po 2 and LIN Cheng lu 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | laser deposition SiC film crystallization |
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