| Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析 |
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| 引用本文： | 雷天民,陈治明,余明斌,马剑平,胡宝宏,王建农.Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析[J].半导体学报,2000,21(3):303-307. |
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| 作者姓名： | 雷天民 陈治明 余明斌 马剑平 胡宝宏 王建农 |
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| 作者单位： | 西安理工大学!西安710048(雷天民，陈治明，余明斌，马剑平)，香港科技大学!香港九龙清水湾(胡宝宏，王建农) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69876030; |
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| 摘 要： | 采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成
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| 关 键 词： | XPS 3C-SiC 外延 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)03-0303-05 |
| 修稿时间： | 1998年10月2日 |
X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of 3C-SiC Thin Films Grown on Si Substrates |
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| LEI Tian\|min,CHEN Zhi\|ming,YU Ming\|bin and MA Jian\|ping.X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of 3C-SiC Thin Films Grown on Si Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(3):303-307. |
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| Authors: | LEI Tian\|min CHEN Zhi\|ming YU Ming\|bin and MA Jian\|ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | XPS 3C-SiC Epitaxy |
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