| SiC MESFET微波功率器件的研制 |
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| 引用本文： | 柏松,陈刚,张涛,李哲洋,汪浩,蒋幼泉,韩春林,陈辰.SiC MESFET微波功率器件的研制[J].半导体学报,2007,28(1). |
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| 作者姓名： | 柏松 陈刚 张涛 李哲洋 汪浩 蒋幼泉 韩春林 陈辰 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | 利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiC MESFET.利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2GHz 64V工作时,连续波输出功率达4.09W,功率增益为9.3dB,PAE为31.3%.文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果.
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| 关 键 词： | 碳化硅 MESFET 微波 功率放大器 |
Fabrication of SiC MESFETs for Microwave Power Applications |
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| Bai Song,Chen Gang,Zhang Tao,Li Zheyang,Wang Hao,Jiang Youquan,Han Chunlin,Chen Chen.Fabrication of SiC MESFETs for Microwave Power Applications[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1). |
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| Authors: | Bai Song Chen Gang Zhang Tao Li Zheyang Wang Hao Jiang Youquan Han Chunlin Chen Chen |
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| Abstract: | 4H-SiC MESFETs are fabricated on semi-insulating SiC substrates.Key processes are optimized to obtain better device performance.A microwave power amplifier is demonstrated from a 1mm SiC MESFET for S band operation.When operated at a drain voltage of 64V,the amplifier shows an output power of 4.09W,a gain of 9.3dB,and a power added efficiency of 31.3%. |
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| Keywords: | 4H-SiC MESFET microwave power amplifier |
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